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强大的内存文件

11月17日,2020年

要了解更多关于内存的信息,不得错过以下内容。
存储器时钟周期,访问时间和CAS延迟时间是直接测量内存性能的最重要参数。它们都可以设置在主板BIOS中,将来将在BIOS中详细讨论。

1.时钟周期(TCK)

TCK是“时钟周期时间”的简短。
它表示存储器可以运行的最大频率,并且数量越小,存储器可以运行的频率越高。
时钟周期与存储器的工作频率成反比,即TCK = 1 / f。
例如,标记为“-10”的存储器芯片具有10ns的运行时钟周期,这意味着它可以在100MHz处正常运行。

2.访问时间(TAC)

TAC(来自CLK的访问时间)代表“访问时间”。
与时钟周期不同,TAC仅表示访问数据所需的时间。
例如,标记为“-7j”的存储器芯片表示存储器芯片的访问时间为7ns。
访问时间越短,内存栏的性能越好。例如,如果两个存储器栏两者在133MHz工作时,其中一个具有6ns的访问时间,另一个具有7ns的访问时间,前者比后者更快。

3.CAS延迟时间(CL)

CL(CAS延迟)是内存性能的重要指标,并且是存储器纵向地址脉冲的响应时间。
当计算机需要将数据读入内存时,通常会在其实际读取之前有一个“缓冲周期”。缓冲周期的长度是该CL。
记忆的CL值越低,越好;因此,缩短CA的循环有助于加速相同频率的存储器的操作。

4.平价(ECC)

记忆是一种数据过境“仓库”,在频繁的过境过程中,如果错误的数据发生了什么?
ECC是数据验证机制。
ECC不仅可以确定数据的正确性,还可以纠正大多数错误。
这种内存通常通常在普通PC中使用,而是在高端服务器计算机中使用。